NMOS器件相关论文
基于40 nm CMOS工艺,研究了8 V MV NMOS器件的HCI-GIDL效应的优化.分析了增大LDD注入倾角、二次LDD注入由P注入变为As注入两种措施......
超大规模集成电路的迅速发展,迫切要求提高整个电路系统及单个器件的性能与可靠性,这是因为集成电路是由元器件组成的,单个器件的......
随着大规模集成电路制造技术进入45nm及以下节点，由于MOS器件的栅氧化层厚度减薄并接近失效极限，传统的CMOS技术遇到了高栅泄漏电流......
应力记忆工艺(SMT)通过在NMOS器件沟道中产生张应力,提高器件的电子迁移率,从而提升NMOS器件的性能.Si3N4层应力值、SiO2层厚度以......
对加固型 CC40 0 7NMOS器件进行了低温 ( - 30°C)和室温 ( 2 5°C) γ射线辐射实验、不同剂量率下的γ辐射实验以及不同温度下的......
This work researched the impact of total dose irradiation on the threshold voltage of N-type metal oxide semiconductor f......
The total dose effect of ~(60)Co γ-rays on 0.8μm H-gate partially depleted-silicon-on-insulator NMOS devices was inves......
PolarFab公司现在推出其模组化0．35微米8 Polar35工艺3．3V CMOS器件。与5V器件相比，该器件模组提高了电路性能，同时降低了模拟密集型功......
分别考虑了深浅两次沟道区注入杂质在氧化扩散过程中对表面浓度的贡献。对两次注入杂质的扩散分别提取了扩散系数的氧化增强系数、......
静电放电（Electrostatic Discharge,ESD）严重影响当今微电子器件的可靠性,使用静电放电防护器件是提高电路ESD可靠性的一种重要途径......
<正> As the channel length of metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (MOSFETs) scales into thenanometer regi......
IR3522内置了I^2C接口，为DDR3 VDDQ和Vtt轨提供了全面的系统控制。其I^2C接口将Vtt跟踪率定为±25％，可提供数字开／关控制。如果系......
本文测量了低温(77K)下NMOSFET的衬底电流随偏置电压V_(GS)、V_(DS)和V_(BS)的变化曲线以及衬底电流与应力作用时间的关系。并与常......
介绍了TSUPREM-4集成电路工艺仿真系统的主要仿真功能及系统的深亚微米模型。以LDD结构的NMOS器件为例进行了二维工艺仿真,得到了N......
直流电流电压(DCIV)方法不仅可以提取SOI器件前栅沟道界面态密度,也可应用于背界面态密度的提取.给出了具体的测试步骤与方法,以0.......
对用多次注入与退火技术制成的ＳＩＭＯＸ材料制备的Ｎ沟ＭＯＳＦＥＴ进行了６０Ｃｏγ射线累积剂量辐照试验，测量了不同辐照偏置条件和辐照剂量下的亚阈特性曲线和阈......
本文研究了 NMOS 器件低温热载流子效应;在直流和交流应力下,测量和分析了低温(77K)下热载流子注入对 NMOS 器件性能的影响,并与室......
针对应变Si NMOS器件总剂量辐射对单粒子效应的影响机制,采用计算机TCAD仿真进行研究。通过对比实验结果,构建50 nm应变Si NMOS器......
集成电路特征尺寸发展到90nm工艺时,栅介质层的厚度将至2nm以下,栅氧化层仅有几个原子层的厚度。在器件的栅电场强度不断增加情况......
