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主要阐述了用于场发射硅锥阵列的制备工艺，实验中在101，6mm（4in）n型（100）晶向低阻硅片上氧化出一层厚度约为650nm的氧化层，再用投影曝光的方法光刻出边长2μm，间距4μm的方形掩膜。再分别使用反应离子刻蚀（RIE）技术和湿法刻蚀制备硅锥阵列，干法刻蚀并结合氧化削尖工艺得到了曲率半径为90nm左右且具有良好一致性的尖锥，湿法刻蚀同样得到较理想的结果。