氧化削尖相关论文
本文阐述了硅微尖阵列的制备工艺。实验以直径4英寸的n型(100)晶向的硅片为基片,首先在硅片表面氧化生成一层厚度为250nm的二氧化......
真空平板显示器的底板主要由场发射阴极和金属栅极构成。该文报告了Ｔｉ－Ｗ－Ａｕ三层金属栅极代替过去的铝栅，解决了栅与绝缘层ＳｉＯ的附着问题和金属......
主要阐述了用于场发射硅锥阵列的制备工艺，实验中在101，6mm（4in）n型（100）晶向低阻硅片上氧化出一层厚度约为650nm的氧化层，再用投影曝光的......
采用KOH溶液各向异性腐蚀单晶硅的方法制备高纵横比的纳米硅尖,研究了腐蚀溶液的浓度、添加剂异丙醇（IPA）对硅尖形状的影响。设计了......
为制备高纵横比的纳米硅尖，研究了掩模的偏转方向对硅尖形状的影响。设计了硅尖制备的工艺流程，采用KOH溶液湿法各向异性腐蚀（100）单晶......
研究了在硅材料上利用MEMS (Micro-Electro-Mechanical System)的各向异性腐蚀技术制备闪耀光栅.采用氧化削尖工艺去除光栅制备过......
