【摘 要】
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高Ge组分的SiGe薄膜在应变硅、应变锗以及高速器件的应用前景十分广阔。本文以Si/SiGe/SOI（绝缘体上的硅）结构为初始样品,设计了系统性的氧化浓缩实验,通过大量的分析和参数调
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高Ge组分的SiGe薄膜在应变硅、应变锗以及高速器件的应用前景十分广阔。本文以Si/SiGe/SOI（绝缘体上的硅）结构为初始样品,设计了系统性的氧化浓缩实验,通过大量的分析和参数调整,制备获得了不同组分比的绝缘体上锗硅（SiGe on insulator,SGOI）薄膜样品。结合X射线衍射（XRD）和拉曼光谱（Raman）等测试手段表征了制备样品的晶格质量和元素组分,其中Ge组分最高达到80.5%。综合分析表明：在适当的条件下,Ge组分和浓缩时间线性关系明显,浓缩制备SGOI材料可以做到组分可控性,为相
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