【摘 要】
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通过真空蒸发将PTCDA淀积在p-Si(100)面。采用Raman光谱,AFM分别研究了衬底温度对于PTCDA分子结构和表面形貌的影响,进而完善了p—Si基PTCDA薄膜的生长机制。
【机 构】
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兰州大学物理科学与技术学院,湖南科技大学物理学院
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通过真空蒸发将PTCDA淀积在p-Si(100)面。采用Raman光谱,AFM分别研究了衬底温度对于PTCDA分子结构和表面形貌的影响,进而完善了p—Si基PTCDA薄膜的生长机制。
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