【摘 要】
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Arsenic-doped petal-like zinc oxide microrods are grown on silicon (100) substrates by the chemical vapor deposition method without the use of catalysts.Scannin
【机 构】
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School of Physics and Electronic Technology, Liaoning Normal University, Dalian 116029
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Arsenic-doped petal-like zinc oxide microrods are grown on silicon (100) substrates by the chemical vapor deposition method without the use of catalysts.Scanning electron microscopy shows that As-doped petal-like ZnO microrods with a preferred c-axial orientation are obtained,which is well in accordance with x-ray diffraction analysis.The obtained ZnO microrods have uniform lengths of about 2μm and side lengths of about 100nm.Asrelated acceptor emissions are observed from photoluminescence spectra of the ZnO microrods at a temperature of 11 K.The acceptor binding energy is estimated to be 128meV.Zinc oxide (ZnO) is a promising material for the next generation of ultraviolet (UV) light emitting diodes (LEDs) and lasing device (LD) applications due to its direct and wide bandgap of 3.37eV,with a large exciton binding energy of 60 meV at room temperature (RT).[1,2] However,ZnO is usually an n-type semiconducting material,and the preparation of durable and reproducible p-ZnO has long been one of the major hurdles to applications of ZnO,in nanostructures or thin film forms.[3]
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