【摘 要】
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刻蚀缺陷是半导体制程中最关键和最基本的问题,理想的等离子体刻蚀工艺过程中,刻蚀气体必须完全参与反应而形成气态生成物,最后由真空泵抽离反应室。但实际上,多晶硅栅极等离
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刻蚀缺陷是半导体制程中最关键和最基本的问题,理想的等离子体刻蚀工艺过程中,刻蚀气体必须完全参与反应而形成气态生成物,最后由真空泵抽离反应室。但实际上,多晶硅栅极等离子体刻蚀过程中,生成的反应聚合物(polymer)无法由真空泵抽离反应室而附着在刻蚀腔壁上,造成反应室的污染,有些甚至附着在晶圆表面而形成元器件的微粒子污染,造成产品良率下降甚至报废。本文通过改变调整刻蚀工艺参数等方式,成功解决了多晶硅栅极刻蚀工艺制程中反应生成物转变为微粒子污染物这一问题,使得产品良率提升了3%,刻蚀反应腔体保养时数延长了一倍
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