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分别用金属In和Ti／Al／Ni／Au合金层制备GaNHEMT结构外延片的霍尔测试电极，并对样品进行霍尔测试。发现In金属与外延片形成非欧姆接触，Ti／Al／Ni／Au合金层与外延片形成良好的欧姆接触。用电化学C-V方法测试样品，得到的载流子浓度与舍金电极制备的样品经霍尔测试得到的载流子浓度一致，从而验证了此种霍尔测试方法的准确性，为GaN外延材料的测试提出了准确可行的测试方法。