【摘 要】
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本文采用两步Ag/Cu双原子金属辅助化学腐蚀(MACE)法,在25℃和50℃单晶硅表面制备纳米陷光结构.实验探讨了刻蚀时间和Ag/Cu原子的摩尔比对制备的黑硅表面结构形貌和反射率的影
【机 构】
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集美大学诚毅学院,福建厦门361021;厦门大学物理系半导体光电材料及其高效转换器件协同创新中心,福建厦门361005;厦门理工学院光电与通信工程学院,福建省光电技术与器件重点实验室,福建厦门3610
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本文采用两步Ag/Cu双原子金属辅助化学腐蚀(MACE)法,在25℃和50℃单晶硅表面制备纳米陷光结构.实验探讨了刻蚀时间和Ag/Cu原子的摩尔比对制备的黑硅表面结构形貌和反射率的影响,实验得到Ag/Cu双原子MACE法制备的的黑硅比Ag单原子和Cu单原子MACE法制备的黑硅具有更好的表面抗反射.这是由于Ag/Cu双原子的协同催化腐蚀,使得黑硅表面具有较为均匀分布的横向和竖向共存的复合孔洞结构.研究结果表明,纵横交错的复合孔洞结构具有良好的陷光效果,当Ag/Cu原子摩尔比为1;5,腐蚀时间为10 min时,黑硅表面的反射率达到最低,为4％以下.而对于重掺硅衬底,Ag/Cu双原子辅助腐蚀得到的黑硅表面孔洞为均匀规整的倒金字塔结构,其反射率达到2％以下.
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