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随着半导体工艺的高速发展，计算机系统中处理器与主存之间性能差距的不断增大，传统存储器件的集成度已接近极限，能耗问题也日益突出，当前传统的主存技术面临挑战.相变随机存储器(PCRAM)具有集成度高、功耗低、非易失、字节级编址等优良特性，是最有发展潜力的、最有可能完全取代DRAM主存的非易失性存储器之一.首先介绍了PCRAM的发展与应用现状，指出T型结构是当前学术界和产业界广泛采用的器件结构，目前已经有PCRAM产品逐步开始量产并投入商业应用.然后，介绍了PCRAM当前面临的挑战，指出PCRAM面临的写耐久性