高Al组分AlGaN的ICP干法刻蚀

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【摘要】

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初步研究了采用Cl2/Ar/He等离子体对MOCVD生长的背照射Al0.45Ga0.55N材料的ICP干法刻蚀工艺.采用离子束溅射生长的Ni作为刻蚀掩模,刻蚀速率随ICP直流偏压的增加而增加.采用传

【作者】

：

亢勇李雪何政方家熊

【机构】

：

传感技术国家重点实验室,中国科学院上海技术物理所,上海,200083

【出处】

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首届全国先进焦平面技术研讨会

【发表日期】

：

2005年8期

【关键词】

：

AlGaN材料干法刻蚀等离子体 MOCVD生长离子束溅射

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初步研究了采用Cl2/Ar/He等离子体对MOCVD生长的背照射Al0.45Ga0.55N材料的ICP干法刻蚀工艺.采用离子束溅射生长的Ni作为刻蚀掩模,刻蚀速率随ICP直流偏压的增加而增加.采用传输线模型测量了刻蚀前后AlGaN材料方块电阻的变化,分析了干法刻蚀电学损伤与直流偏压的关系.用扫描电镜(SEM)观察了不同直流偏压下刻蚀台面形貌,并对其进行了分析.

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