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近年来，图形化的蓝宝石衬底在改善GaN晶体外延生长质量以及提升LED器件发光提取效率方面作用显著，引起了广泛的研究兴趣。综述了蓝宝石图形衬底的制备方法（干法刻蚀、湿法刻蚀、外延生长法），并较系统地介绍了蓝宝石图形衬底表面周期性图形参数（图形形貌、图案尺寸、图形占位比及其深度）对LED发光薄膜及器件的影响及其机理，最后对蓝宝石图形衬底的发展趋势进行了展望。