外差式声光频谱分析仪的灵敏计算

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由于电子对抗的迅速发展,使得射频电信号的频谱分析成为一项关键技术,声光频谱分析器具有极高的速度,极大的容量和100%的截获率,特别是外差式的声光频谱分析顺还可以具有较大的动态范围和获得射频信号的全部信息的能力,所以,如果能在电子援助措施中引入外差式声光频谱分析手段,势必明显提高系统的处理速度和其他指标。国外在十余前便有人开始尝试这类方案,近来的预警飞机和JTIDS使问题变得更加突出,但在以前国内尚
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体相ZnSCu具有优越的交直流电致发光性能,在屏幕显示领域有着广泛的应用[1].近年来随着ZnSMn纳米材料研究的深入[2~4],对于纳米ZnSCu的研究也引起了人们极大的兴趣[5].但研究进展十分缓慢,主要原因一是由于其
采用溶液电镀方法在多孔硅表面制备纳米尺寸的银颗粒,测量了不同镀银多孔硅表面吸附的RhB染料分子以及固态的RhB染料的Raman散射谱。在相同的激发强度下,固态RhB染料的Raman散射最弱,而镀银的多孔硅
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本文用MOCVD技术在GaAS衬底上成功地制备了具有波导结构的Zn0.8Cd0.2Se-ZnSe应变层超晶格样品,在77K温度的发致发光光光谱中观测n=1的重空穴和轻空穴激子的辐射复合。
研究了铕(Ⅲ)与噻吩甲酰三氟丙酮(HTTA)、丙烯酸(HAA)的三元配合物及与甲基丙烯酸甲酯(MMA)成键聚合物(CPEu(TTA)2AA)和掺杂聚合物(Eu(TTA)2AA/PMMA)发光性质,测量了配合物中Eu^3+的^5D0和^5D1能级的荧光衰减,对其传能过程和荧光寿命进行了讨论
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自从S.Nakamura等人成功地制备了GaN/GaInN/AlGaN蓝、绿光LEDs以来,GaN及其相关化合物的材料生长和器件工艺得到了广泛地研究.由于GaN材料不同于传统的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料,因此其器件的加工工艺,如欧姆或肖特基接
利用氮化铝陶瓷作为衬底,在不同甲烷与氢气的配比流量下,利用热丝CVD方法制备了一个系列的金刚石薄膜,通过测量样品在430nm处的光致荧光(PL)谱及其Raman光谱,给出了金刚石薄膜的结构与生长信息,薄膜
用磁控射频反应溅射制备了含纳米硅微粒的富硅SiO2薄膜并获得蓝色的交流薄膜电致发光,通过热退火结合喇曼散射等手段判定蓝色发光谱带与富硅SiO2薄膜的纳米硅晶粒有关。