低阈值电流高效率的面发射GaInAsP/InP激光器

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通过单片集成45°(抛物)镜面,将激光器的光输出偏转到与衬底表面垂直的方向,研制成一种掩埋的异质结构激光器。利用质量输运现象,用化学腐蚀修平多台阶结构制作了该镜面。这些器件的阈值电流低至12mA,微分量子效率高达47%;具有一个波瓣的面发射远场图形展角窄至12°。 A monolithic buried heterostructured laser was developed by monolithically integrating a 45 ° (parabolic) mirror and deflecting the laser output to a direction perpendicular to the substrate surface. Using the phenomenon of mass transport, the mirror surface was made by chemical etching to level the multi-step structure. These devices have threshold currents as low as 12mA and differential quantum efficiencies as high as 47%. The far field pattern with a lobe has a narrow profile angle down to 12 °.
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