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本文研究了Nb2O5和Sb2O3施主掺杂对TiO2瓷的半导化和电容-压敏复合功能特性的影响,施主掺杂的最佳量是0.5mol%。结果表明,Nb2O5掺杂能较大的降低TiO2瓷的电阻率和提高其介电常数。掺杂Nb2O5和Sb2O3的TiO2瓷,均呈现优异的电压-电流的非线性关系,具有较低的初始电压,低的泄漏电流和较大和非线性系数。