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Ramtron日前宣布,在硅谷嵌入式系统大会上展示MaxArias无线存储器。
Ramtron的MaxArias系列无线存储器将行业标准Gen2 RFID无线存取功能与其非易失性F-RAM存储器技术的低功耗、高速度和高耐久性特性相结合,可让全世界的工程师使用高性能RF转发器(transponder)集成电路来发送、捕获和存储更多信息,从而扩大其系统的通信范围和存储器容量。
Ramtron的MaxArias无线存储器非常适合高价值资产追踪、药物追踪、制造和维护记录收集以及智能电表抄表等应用。
MaxArias无线存储器系列首批产品WM71004、WM71008和WM71016,其容量分别为256/512/1024x16位,这些器件具有几乎无限的读/写次数(写入次数大约为1014次),以及20年的数据保存期。就工作范围、持续的存储器访问带宽及可靠性而言,MaxArias无线存储器具有完全对称的读/写距离,达到Gen-2标准的最大数据速率。
Ramtron的MaxA rias无线存储器具有超越传统基于EEPROM的RF ID产品的独特优势,包括:
·更高的射频灵敏度:WM71 Oxx能实现零功耗写入运作,因而在执行写入时不会影响功率或速度。
●更大的工作范围:使用低功耗F-RAM的MaxArias无线存储器具有10m或更大范围的对称无线读/写功能
●出色的写入速度:MaxArias无线存储器的速度较EEPROM快六倍,能够实现整个存储区块的写入运作,更快地存储更多的数据,免除基于EEPROM的器件的”预备时间”(soak time)限制
·区块写入完整性:SureWrite特性可确保数据完整性,防止在全区块写入期间出现数据损坏
●磁场和伽玛辐射耐受能力:由于F-RAM器件完全不受磁场的影响,并具有高伽玛辐射耐受能力,MaxArias无线存储器是需暴露于磁场或辐射干扰之应用的理想选择。
WM710xx MaxArlas无线存储器能在整个工业温度范围运作(-40℃～+85℃),并备有几种配置,包括标准RoHS兼容6脚UDFN封装、凸块硅片,裸片,或经全面测试的符合ISO-18000-6C标准的电子标签。
Everspin科技16Mb MRAM正式问世
Everspin科技公司日前推出16MbMRAM,进一步强化了该公司在M RAM领域的领导地位。现在,所有需要无电数据保持以及SRAM'陛能的应用都可使用具有非挥发性、高性能、以及高可靠性优势的MRAM技术。
MR4A16B是一款3.3V、并行I/O非挥发RAM,其超快的存取周期仅为35ns,并允许无限制的读/写循环。在每次写入后,资料能持续保存超过20年。此外,与其它存储器不同,MRAM还可免除因宇宙射线所产生的软错误率。这款16MbMRAM由位宽为16的1,048,576个字组成。引脚和功能可与异步SRAM兼容。MR4A16B目标应用为工业自动化、机器人、网络和数据储存、多功能打印机、以及其它许多传统受限于需采用SRAM设计的系统。
MR4A1 6B提供小尺寸48引脚球栅阵列(BGA)封装和54引脚的薄形小尺寸(TSOPII)封装两种形式。这些封装均能与相似的低功率SRAM产品和其它非挥发RAM产品兼容。
新款16Mb MRAM系列包括商业级(0℃～+70℃)和工业级(-40℃～+85℃)两种温度范围。现已可提供样品,并预计于2010年7月开始量产。
Ramtron的MaxArias系列无线存储器将行业标准Gen2 RFID无线存取功能与其非易失性F-RAM存储器技术的低功耗、高速度和高耐久性特性相结合,可让全世界的工程师使用高性能RF转发器(transponder)集成电路来发送、捕获和存储更多信息,从而扩大其系统的通信范围和存储器容量。
Ramtron的MaxArias无线存储器非常适合高价值资产追踪、药物追踪、制造和维护记录收集以及智能电表抄表等应用。
MaxArias无线存储器系列首批产品WM71004、WM71008和WM71016,其容量分别为256/512/1024x16位,这些器件具有几乎无限的读/写次数(写入次数大约为1014次),以及20年的数据保存期。就工作范围、持续的存储器访问带宽及可靠性而言,MaxArias无线存储器具有完全对称的读/写距离,达到Gen-2标准的最大数据速率。
Ramtron的MaxA rias无线存储器具有超越传统基于EEPROM的RF ID产品的独特优势,包括:
·更高的射频灵敏度:WM71 Oxx能实现零功耗写入运作,因而在执行写入时不会影响功率或速度。
●更大的工作范围:使用低功耗F-RAM的MaxArias无线存储器具有10m或更大范围的对称无线读/写功能
●出色的写入速度:MaxArias无线存储器的速度较EEPROM快六倍,能够实现整个存储区块的写入运作,更快地存储更多的数据,免除基于EEPROM的器件的”预备时间”(soak time)限制
·区块写入完整性:SureWrite特性可确保数据完整性,防止在全区块写入期间出现数据损坏
●磁场和伽玛辐射耐受能力:由于F-RAM器件完全不受磁场的影响,并具有高伽玛辐射耐受能力,MaxArias无线存储器是需暴露于磁场或辐射干扰之应用的理想选择。
WM710xx MaxArlas无线存储器能在整个工业温度范围运作(-40℃～+85℃),并备有几种配置,包括标准RoHS兼容6脚UDFN封装、凸块硅片,裸片,或经全面测试的符合ISO-18000-6C标准的电子标签。
Everspin科技16Mb MRAM正式问世
Everspin科技公司日前推出16MbMRAM,进一步强化了该公司在M RAM领域的领导地位。现在,所有需要无电数据保持以及SRAM'陛能的应用都可使用具有非挥发性、高性能、以及高可靠性优势的MRAM技术。
MR4A16B是一款3.3V、并行I/O非挥发RAM,其超快的存取周期仅为35ns,并允许无限制的读/写循环。在每次写入后,资料能持续保存超过20年。此外,与其它存储器不同,MRAM还可免除因宇宙射线所产生的软错误率。这款16MbMRAM由位宽为16的1,048,576个字组成。引脚和功能可与异步SRAM兼容。MR4A16B目标应用为工业自动化、机器人、网络和数据储存、多功能打印机、以及其它许多传统受限于需采用SRAM设计的系统。
MR4A1 6B提供小尺寸48引脚球栅阵列(BGA)封装和54引脚的薄形小尺寸(TSOPII)封装两种形式。这些封装均能与相似的低功率SRAM产品和其它非挥发RAM产品兼容。
新款16Mb MRAM系列包括商业级(0℃～+70℃)和工业级(-40℃～+85℃)两种温度范围。现已可提供样品,并预计于2010年7月开始量产。