论文部分内容阅读
研究了一种采用新的T型发射极技术的自对准InP／GaInAs单异质结双极晶体管．采用了U型发射极图形结构、选择性湿法腐蚀、LEU以及空气桥等技术，成功制作了U型发射极尺寸为2μm×12μm的器件．该器件的共射直流增益达到170，残余电压约为0．2V，膝点电压仅为0．5V，而击穿电压超过了2V．器件的截止频率达到85GHz，最大振荡频率为72GHz，这些特性使此类器件更适合于低压、低功耗及高频方面的应用．