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采用固相反应的方法制备粉料,合成了一种新型的(Zr1/2Ti1/2)1-x(Nb2/3Mg1/3)xO2 (x=0.05～0.30)高频介质陶瓷.XRD分析确定粉料为单相,其晶相为ZrTiO4结构.瓷片在1 430～1 470℃之间烧结.讨论了收缩率与烧结温度的关系以及介电性能随烧结温度的变化,探讨了不同配比对材料电性能的影响,确定出最佳烧结温度为1 460℃.在1 MHz下测试了材料的介电常数及损耗.相对介电常数在26～34之间.配比为x=0.25的材料,品质因数可达到1×10-4.