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CIGS薄膜的结晶相是制备高质量薄膜的关键问题.本文采用共蒸发"三步法"工艺沉积Gu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜,通过X射线衍射仪(XRD)和X射线荧光光谱仪(XRF)、扫描电镜(SEM)结合的方法详细研究了"三步法"工艺的相变过程,并制备出转换效率超过15%的CIGS薄膜太阳电池.
Cu（In,Ga）Se2薄膜在共蒸发“三步法”中的相变过程
【摘 要】
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CIGS薄膜的结晶相是制备高质量薄膜的关键问题.本文采用共蒸发"三步法"工艺沉积Gu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜,通过X射线衍射仪(XRD)和X射线荧光光谱仪(XRF)、扫描电镜(SEM)结合的
【机 构】
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南开大学天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室;
【出 处】
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物理学报
【发表日期】
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2004年期
【基金项目】
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国家自然科学基金(批准号:61144002)资助的课题~~
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