【摘 要】
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制造肖特基型Ni/p-GaN/AlGaN/GaN结构的p-GaN栅极器件,并研究该器件在不同温度与正向偏压下的电致发光现象.当栅极偏压大于4 V时,可以观测到源自p-GaN层的电致发光;当栅极偏
【基金项目】
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国家自然科学基金资助项目(61604098),深圳大学科研启动基金资助项目(860-000002110207)。
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制造肖特基型Ni/p-GaN/AlGaN/GaN结构的p-GaN栅极器件,并研究该器件在不同温度与正向偏压下的电致发光现象.当栅极偏压大于4 V时,可以观测到源自p-GaN层的电致发光;当栅极偏压大于6 V时,可以观测到源自沟道层的氮化镓带边发光;当温度升高时,电致发光的强度增加.电致发光光谱随偏压及温度的演变过程,揭示了p-GaN栅结构中电子和空穴的非对称性注入过程,以及Ni/p-GaN界面处的热致空穴注入增强效应.研究有助于理解和提高p-GaN栅功率器件的稳定性和可靠性.
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