论文部分内容阅读
为了消除辐射损伤，获得准确的目标电阻率，中子嬗变掺杂区熔硅通常采用７５０￣８５０℃－２ｈ的退火工艺，实践中发现，采用上述工艺退火后的ＮＴＤＦＺＳｉ在大于１１５０℃－５ｈ退火时，会出现电阻率下降的现象，下降幅度在１０％￣３０％左右，不中照的ＦＺＳｉ则没有观察到这种现象，这表明，在１１５０℃以上长时间退火时，ＮＴＤＦＺＳｉ中产生了过剩载流子。本文研究了这种现象产生的机理及其与辐照通量和原始晶体质量的关