NTDFZSi相关论文
本文报导了关于高阻 N 型区熔( F Z) N T D- Si- P+ N 结二极管经电子辐照后的等温退火特性,获得5 个缺陷能级: E1 = 0 .16e V, E2 = 0 .27e V, E3 = 0 .31e V, E4 = 0 .37e V 和 E5 = 0 .42e V.结果......
为了消除辐射损伤,获得准确的目标电阻率,中子嬗变掺杂区熔硅通常采用750 ̄850℃-2h的退火工艺,实践中发现,采用上述工艺退火后的NTDFZSi在大于1150℃-5h退火时,会......