本文报导了关于高阻 Ｎ 型区熔（ Ｆ Ｚ） Ｎ Ｔ Ｄ－ Ｓｉ－ Ｐ＋ Ｎ 结二极管经电子辐照后的等温退火特性，获得５ 个缺陷能级： Ｅ１ ＝ ０ ．１６ｅ Ｖ， Ｅ２ ＝ ０ ．２７ｅ Ｖ， Ｅ３ ＝ ０ ．３１ｅ Ｖ， Ｅ４ ＝ ０ ．３７ｅ Ｖ 和 Ｅ５ ＝ ０ ．４２ｅ Ｖ．结果......

为了消除辐射损伤，获得准确的目标电阻率，中子嬗变掺杂区熔硅通常采用７５０￣８５０℃－２ｈ的退火工艺，实践中发现，采用上述工艺退火后的ＮＴＤＦＺＳｉ在大于１１５０℃－５ｈ退火时，会......