【摘 要】
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对双极及体硅CMOS工艺的单一和复合运算放大器的总剂量效应进行了PSPICE模拟计算,模拟通过改变运算放大器总剂量效应的敏感参数来实现,双极运算放大器的敏感参数是补偿电容和
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对双极及体硅CMOS工艺的单一和复合运算放大器的总剂量效应进行了PSPICE模拟计算,模拟通过改变运算放大器总剂量效应的敏感参数来实现,双极运算放大器的敏感参数是补偿电容和晶体管的电流放大倍数,CMOS型运算放大器的敏感参数是MOS管的阈值电压.模拟结果表明随着总剂量辐照的增加,双极及CMOS运算放大器出现增益降低,带宽变小,转换速率下降的现象;在总剂量辐照效应下,两种工艺的复合运算放大器的抗总剂量性能优于单一运算放大器.
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