InAs自组织生长量子点的空穴俘获势垒

来源 :红外与毫米波学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：fanny_lizzy

【摘要】

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成功地用深能级瞬态谱(DLIS)研究了p型InAs 自组织生长的量子点的电学性质,测得2.5原子层InAs量子点空穴基态能级在GaAs价带底上约0.09eV,该量子点在荷电状态发生变化时需要

【作者】

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王海龙朱海军宁东陈枫封松林

【机构】

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中国科学院半导体研究所,半导体超晶格国家重点实验室,北京,100083

【出处】

：

红外与毫米波学报

【发表日期】

：

1999年5期

【关键词】

：

深能级瞬态谱(DLTS) 自组织生长量子点 InAs/GaAs

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成功地用深能级瞬态谱(DLIS)研究了p型InAs 自组织生长的量子点的电学性质,测得2.5原子层InAs量子点空穴基态能级在GaAs价带底上约0.09eV,该量子点在荷电状态发生变化时需要克服一个势垒,俘获势垒高度为0.26eV.本工作首次利用DLTS测定了量子点空穴的基态能级和俘获势垒,相信对增加量子点性质的理解会起到有益的帮助.

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