深能级瞬态谱(DLTS)相关论文
半导体材料中杂质和缺陷对半导体器件的性能有重要的影响。随着对材料的结构、力学、化学和电学特性的深入研究，其缺陷控制、杂质行......
成功地用深能级瞬态谱(DLIS)研究了p型InAs 自组织生长的量子点的电学性质,测得2.5原子层InAs量子点空穴基态能级在GaAs价带底上约......
利用深能级瞬态谱(DLTS)研究了常规分子束外延和原子氢辅助分子束外延生长的掺杂Si和Be的GaAs同质结构样品中缺陷的电学特性.发现......
本文介绍的正电子深能级瞬态谱（PDLTS）技术是结合了对固体缺陷有很高灵敏度的正电子湮没谱（PAS）和一些深能级瞬态谱（DLTS）技术而成新的实......
利用深能级瞬态谱（DLTS）研究了气源分子束外延（GSMBE）生长的InP1-xBix材料中深能级中心的性质。在未有意掺杂的InP中测量到一个多数载......
材料纯度、生长工艺、退火条件均会影响半导体材料中的杂质或缺陷能级状态,如何精确测量半导体中的能级位置、俘获截面及浓度是进......
采用近空间升华法(CSS)制备CdTe多晶薄膜,模拟制备过程中的温场变化,结合I-V、C-V特性及深能级瞬态谱研究温场均匀性对CdS/CdTe太......
寿命控制技术是现在广泛使用的方法,该方法旨在减少快恢复二极管(FRD)基区载流子寿命从而实现更小的反向恢复时间,同时不可避免地......
InP/InGaAs异质结双极型晶体管（HBTs）广泛应用在高频、射频和微波领域中。和InP HBT器件相比,基于Si-CMOS集成后的InP HBTs器件具有......
