氧化时间和温度对Si基AAO模板制备的影响

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采用一次阳极氧化法,通过电解P型<100>晶向Si衬底上的高纯Al膜,在40V下,0.3M草酸中制备了Si基anodic aluminum oxide(AAO)模板。在Si基Al氧化过程中,通过电流密度随时间实时变化曲线的分析,研究了Si基AAO的生长机理。实验发现,电解液温度对Si基AAO制备的影响很大,在30℃下的氧化速度是在10℃下的5倍多。 An anodic aluminum oxide (AAO) template was prepared from 0.3M oxalic acid at 40V by electrolysis of P-type <100> toward a high-purity Al film on a Si substrate by anodic oxidation. During the oxidation of Si-based Al, the growth mechanism of Si-based AAO was studied by analyzing the real-time current density curve over time. The experimental results show that the temperature of the electrolyte has a great influence on the preparation of AAO based on Si. The oxidation rate at 30 ℃ is more than 5 times of that at 10 ℃.
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