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Crolles2联盟日前宣读一篇有关在正常制造条件下来用标准CMOS体效应技术和45纳米设计规则制造面积小于0．25平方微米的六晶体管SRAM位单元的论文，这个单元尺寸比先前的解决方案缩小了一半。
Crolles2联盟开发的超高密度SRAM单元：采用45纳米低功率普通CMOS体效应技术
【摘 要】
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Crolles2联盟日前宣读一篇有关在正常制造条件下来用标准CMOS体效应技术和45纳米设计规则制造面积小于0．25平方微米的六晶体管SRAM位单元的论文，这个单元尺寸比先前的解决方案
【出 处】
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电子与电脑
【发表日期】
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2005年7期
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