空位缺陷对ZnNb_(2)O_(6)光电特性影响的第一性原理研究

来源 :无机材料学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:eric2751
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铌酸盐类物质,如LiNbO_(3),KNbO_(3),LnNbO_(4)(Ln=Pr,La,Ga,Y)等,表现出优良的光敏特性,受到广泛关注,但过渡金属类铌酸盐研究较少,其光电特性与空位缺陷的关系尚无深入探讨。基于密度泛函理论第一性原理方法,本研究探讨了空位缺陷对ZnNb_(2)O_(6)体系光电特性的影响。通过对各体系几何结构、电子结构和光电谱的计算与分析,清晰展示了体系中原子电负性与几何位置对结构与电子能级的影响,八面体中心位置原子(如Zn,Nb)对能带的贡献类似,形成空位缺陷时,价带位置相对固定。但
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