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研究了辐射环境温度、辐射剂量率、退火温度和退火偏置对CC4007NMOS器件阈值电压的影响，研究发现，低温（－30℃）辐照感生的氧化物陷阱电荷比室温（25℃）多，界面态电荷比室温要少；受不同γ剂量来辐射时，阈值电压的漂移程度不一样，在总剂量相同情况下，辐射剂量率高时，阈值电压的漂移量也大，辐照后，NMOS器件100℃退火速度要大于25℃退火速度，＋5V栅偏压退火情况要大于浮空偏置情况，并对以上观察进行了分析和解释。