SOI MOSFET电路模拟的模型选择

来源 :微电子学 | 被引量 : 0次 | 上传用户:hblhzl_18
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本文描述,论证并用实例说明了一种选择SOI MOSFET适当模型的实验方法。选择的准则是由薄膜和(半)体器件模型所预测的稳态电流——电压特性导出的。通过揭示(看似正确的)实际经验模型所产生的明显的模拟误差,突出了选择适当模型的必要性。 This article describes, demonstrates and illustrates an experimental method of selecting the appropriate model for an SOI MOSFET. The criteria chosen are derived from the steady-state current-voltage characteristics predicted by the thin film and (semi) body model. By revealing (seemingly right) actual empirical models of the significant simulation errors that occur, the need to select the appropriate model is highlighted.
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