【摘 要】
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在200W连续导通模式功率因数佼正(PFC)系统中,新一代600V砷化镓(GaAs)肖特基二极管与硅和碳化硅(SiC)二极管比较,砷化镓,碳化硅在PFC系统中的损耗减少高达25%。由于砷化镓有
【机 构】
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IXYS Berlin GmbH,Institute of Power Electronics dept.of Electrical Engineering of University of Appl
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在200W连续导通模式功率因数佼正(PFC)系统中,新一代600V砷化镓(GaAs)肖特基二极管与硅和碳化硅(SiC)二极管比较,砷化镓,碳化硅在PFC系统中的损耗减少高达25%。由于砷化镓有较低的结电容,砷化镓相对碳化硅高的通态损耗被较低的MOSFET损耗弥补了。和碳化硅技术相比,砷化镓有成本和可靠性优势。对于高频和高密度应用来说,新一代的砷化镓二极管是很有前景的。
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