【摘 要】
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利用等离子体增强化学气相沉积(Plasma Enhanced ChemicalVapor Deposition,PECVD)法在单晶硅片上生长了氮化硼(BN)材料.扫描电子显微镜(Scanning Electron Microscopy,SEM)
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利用等离子体增强化学气相沉积(Plasma Enhanced ChemicalVapor Deposition,PECVD)法在单晶硅片上生长了氮化硼(BN)材料.扫描电子显微镜(Scanning Electron Microscopy,SEM)图,能量分散谱(Energy Dispersive Spectrum,EDS)和傅里叶红外光谱(Fourier transform infrared spectroscopy,FTIR)表明,在一定的生长条件下BN薄膜呈现由纳米棒搭构而成的网络状结构.纳米棒的直径
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