【摘 要】
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利用深能级瞬态谱(DLTS)、傅里叶变换红外光谱(FT-IR)对GaN以及GaN掺Er/Pr的样品进行了电学和光学特性分析.研究发现未掺杂的GaN样品只在导带下0.270eV处有一个深能级;GaN注
【机 构】
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北京交通大学光电子研究所,北京,100044中国科学院半导体研究所,北京,100083;中国科学院半导体研究所,北京,100083;北京交通大学光电子研究所,北京,100044;
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利用深能级瞬态谱(DLTS)、傅里叶变换红外光谱(FT-IR)对GaN以及GaN掺Er/Pr的样品进行了电学和光学特性分析.研究发现未掺杂的GaN样品只在导带下0.270eV处有一个深能级;GaN注入Er经900℃,30min退火后的样品出现了四个深能级,能级位置位于导带下0.300 eV,0.188 eV,0.600 eV 和0.410 eV;GaN注入Pr经1050℃,30min退火后的样品同样出现了四个深能级,能级位置位于导带下0.280 eV,0.190 eV,0.610 eV 和0.390 eV;对每一个深能级的来源进行了讨论.光谱研究表明,掺Er的GaN样品经900℃,30min退火后,可以观察到Er的1538nm处的发光,而且对能量输运和发光过程进行了讨论.
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