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期刊论文
宽带GaAs MESFET开关模型
宽带GaAs MESFET开关模型
来源 :固体电子学研究与进展 | 被引量 : 0次 | 上传用户:FlyinginSky
【摘 要】
:
提出了一种MESFET开关的模型--附加栅控开关模型,适用于MMIC电路的设计,具有很好的宽带微波特性.在0.1~20 GHz频率范围内,器件测试值与模型模拟值吻合较好.
【作 者】
:
陈新宇
徐全胜
陈继义
陈效建
郝西萍
李拂晓
蒋幼泉
【机 构】
:
南京电子器件研究所,总装备部情报研究所
【出 处】
:
固体电子学研究与进展
【发表日期】
:
2003年2期
【关键词】
:
开关模型
MESFET
MMIC电路
金属半导体场效应晶体管
GAAS
砷化镓
等效电路
switch
model
broadband
MESFETEEA
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提出了一种MESFET开关的模型--附加栅控开关模型,适用于MMIC电路的设计,具有很好的宽带微波特性.在0.1~20 GHz频率范围内,器件测试值与模型模拟值吻合较好.
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