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以传输线脉冲（TLP）为例,研究了由静电放电脉冲应力产生的氧化层陷阱电荷Qot^＋的特性。当氧化层厚度为3.2nm时,无论是直流还是TLP脉冲应力,其导致氧化层击穿的正氧化层陷阱电荷Qot^＋的质心变化和临界密度是相同的。当氧化层厚度为14nm时,在两种不同的应力下,Qot和质心的特性是不同的。TLP脉冲应力产生的负氧化层陷阱电荷的数量Qot^-远小于直流应力产生的数量。热电子产生更有效的空穴陷阱以引发击穿。