氧化层陷阱电荷相关论文
在分析热电子效应与辐射效应在ＭＯＳＦＥＴ产生界面态关系的基础上，给出了采用普通电子直线加速器作辐射源来对ＭＯＳ器件热电子退化效应进行研究的方......
对当前ＭＯＳ器件中应用广泛的两种热载流子效应测试方法及其应用进行了详细论述．还对ＭＯＳ器件的热载流子效应的参数提取进行了讨论
Two kind......
本文以电荷泵技术为测量手段，结合数值计算，提出了一种新的测量界面态横向分布的方法．与传统方法相比具有理论模型较完善、测量中不引......
在电荷泵技术的基础上 ,提出了一种新的方法用于分离和确定氧化层陷阱电荷和界面陷阱电荷对 p MOS器件热载流子应力下的阈值电压退......
随着CMOS工艺的发展,栅介质层厚度不断减薄,而电源电压并没有等比例缩小,导致栅漏电流不断增大,测量界面态的传统方法受到限制。介......
对MOS结构器件．要分离由辐射效应引起的界面态电荷与氧化层陷阱电荷的方法有根多种．如中电带压法、电荷泵法和双晶体管法就是目前比......
以传输线脉冲（TLP）为例,研究了由静电放电脉冲应力产生的氧化层陷阱电荷Qot^＋的特性。当氧化层厚度为3.2nm时,无论是直流还是TLP脉冲......
