【摘 要】
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讨论了串联电阻对伏安特性的影响。用质子轰击制作平面砷化镓场效应晶体管,避免了表面不平整给柯达光致抗蚀剂带来的问题。用自排列栅技术得到5微米栅的器件。由于尚不能控制
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讨论了串联电阻对伏安特性的影响。用质子轰击制作平面砷化镓场效应晶体管,避免了表面不平整给柯达光致抗蚀剂带来的问题。用自排列栅技术得到5微米栅的器件。由于尚不能控制腐蚀,妨碍了用本工艺制出更小的器件。
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