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利用SilvacoTCAD仿真软件对p＋n—n＋结构二极管在反向击穿情况下的电场分布进行了仿真分析，雪崩载流子浓度的升高改变了耗尽区的电荷密度，因此电场分布形状发生改变，当雪崩击穿电流达到一定值时，在nn＋结处出现第二个电场尖峰，从而引发双雪崩现象。双雪崩会导致负微分电阻现象发生，以致形成电流丝，造成器件损坏。为抑制nn＋结的电场尖峰的出现，在n区n＋区之间引入缓冲层，缓冲层能起到延缓nn＋结的电场尖峰的出现，从而提高二极管的雪崩击穿耐量。