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利用光刻技术对瑞红RZJ-304正性光刻胶进行光刻工艺研究,用透射式光栅作为掩模版,通过改变光刻步骤中的前烘时间、曝光时间、显影时间等来研究光刻效果。实验结果表明,掩模版图形被成功地转移到了硅片基底上,显影后光刻胶厚度均匀,光刻胶线条呈周期性排列,得到了与掩模版尺寸一致的图形。这说明得到了适合RZJ-304光刻胶的光刻工艺。