【摘 要】
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Zn O作为一种具有优良性质的半导体材料,其纳米结构的制备方法得到广泛研究。气相法制备Zn O纳米阵列具有产物容易阵列及收集方便等特点,就近些年来Zn O纳米阵列的气相制备法
【机 构】
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陕西国防工业职业技术学院机械工程学院,西安交通大学材料科学与工程学院
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Zn O作为一种具有优良性质的半导体材料,其纳米结构的制备方法得到广泛研究。气相法制备Zn O纳米阵列具有产物容易阵列及收集方便等特点,就近些年来Zn O纳米阵列的气相制备法研究情况做一总结和归纳,主要有化学气相沉积法、物理气相沉积法、金属有机物化学气相沉积法、化学气相输运法及脉冲激光沉积法等,并对不同实验方法合成的Zn O纳米阵列形貌结构及生长环境进行分析讨论,简单探讨气-液-固和气-固生长机理,为探索简单、方便,产物形貌结构及尺寸大小可控性强的气相制备方法提供依据。
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