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详细地讨论了和比较了三大类硅化硅形成方法特别是后两种方法的原理及优、缺点，并分析了硅化结形成方法的未来发展趋势。
硅化结形成技术
【摘 要】
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详细地讨论了和比较了三大类硅化硅形成方法特别是后两种方法的原理及优、缺点，并分析了硅化结形成方法的未来发展趋势。
【机 构】
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上海冶金研究所微电子学分部
【出 处】
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半导体技术
【发表日期】
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1996年5期
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