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使用深掺杂方法在Si材料中掺入Au原子后,其电阻率随温度T的变化关系从主要依赖于T^-3/2项的浅掺杂材料变成主要依赖于exp(-E/KT)项的深掺杂材料,从而大幅度地提高了掺金Si材料对温度的敏感性。这样在理论上深掺杂Si材料比浅掺杂Si材料对温度的敏感性提高了约1000倍。对于深掺杂方法制成的微型流量传感器特性的测量证明了以上理论。深掺杂Si材料的应用不但大大提高了微型流量传感器的灵敏度,也大幅度地降低了响应时间。