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研究了干和湿条件下,在β-SiC薄膜上生长的SiO2薄膜。β-SiC薄膜异质外延是生长在正晶轴和与晶轴偏闻2°的两种(001)硅衬底上,在10kHz~1MHz的范围内,测量了金属-氧化物-半导体结构的电容-电压和电导-电压特性。这些结果表明,对于偏晶轴样品,界面的陷阱密度和有效固定氧化物电荷密度,一般比正晶轴样品低一些。