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形成硅化物的技术有多种：蒸发，溅射和化学气相沉积。文中对单靶溅射钛膜进行了研究。采用两步快速热退火工艺形成ＴｉＳｉ２，通过实验，得出了ＣＭＯＳ自对准硅化钛的工艺条件。
CMOS自对准硅化钛工艺研究
【摘 要】
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形成硅化物的技术有多种：蒸发，溅射和化学气相沉积。文中对单靶溅射钛膜进行了研究。采用两步快速热退火工艺形成ＴｉＳｉ２，通过实验，得出了ＣＭＯＳ自对准硅化钛的工艺条件。
【机 构】
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信息产业部电子第二十四研究所
【出 处】
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微电子学
【发表日期】
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1999年6期
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