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为用自对准技术制作聚焦型发射阵列(FFEA)的聚焦极,要求FFFA的电阻层能通过光刻用近紫外光。为此提出用共溅射法制作Ni-SiO2金属陶瓷电阻层。研究结果表明,当适当调整Ni和SiO2成份比例,可得到既能满足方阻要求又不妨碍光刻的电阻层。同时对此电阻层的电镜微观形貌,能谱成分分析,方阻及透光率进行了讨论,最后,给出一个利用此电阻层制作场发射聚焦电极的实例。