【摘 要】
：
分别用 Li 和 Cl 作为 p 型和 n 型掺杂剂,成功地制作了 ZnSep—n 结发光二极管。ZnSe 作为直接带隙Ⅱ—Ⅵ族半导体,近年来已经引起人们明显的关注。～2.7eV的室温宽带隙使其成
论文部分内容阅读
分别用 Li 和 Cl 作为 p 型和 n 型掺杂剂,成功地制作了 ZnSep—n 结发光二极管。ZnSe 作为直接带隙Ⅱ—Ⅵ族半导体,近年来已经引起人们明显的关注。～2.7eV的室温宽带隙使其成为制作蓝色发光器件,例如 LED 和激光器的很具吸引力的材料。制作 ZnSe LED 和激光器,需要通过控制替位掺杂形成 p—n 结(或异质结)。虽然 p 型掺杂是目前制作这样器件的主要障碍,但在高浓度条件下,n 型掺杂剂的有效激活具有同等的重要性,尤其是如果要研制蓝色的ZnSe 激光器,更是如此。
其他文献
典雅而不失个性的外观设计，采用贵金属如铂金或者金的材质，表身各处镶嵌璀璨的钻石……这些奢华的元素都不应在此刻遗漏。对珠宝的热爱几乎让我们忘却了岁月的刻度，而腕表的指针
用高纯度Zn和Se做原材料研究了在GaAs(100)和ZnSe(110)衬底上外延生长ZnSe薄膜.实验是在723和873K下进行的,用光致发光测量、二次离子值谱仪(SIMS)、椭圆对称分析和光学显微
用 TMG,AsH<sub>3</sub>和 AsCl<sub>3</sub>作气体源实现了常压有机金属气相外延 GaAs 的完全选择外延。在650—750℃的生长了温度观察下选择能力。Si<sub>3</sub>N<sub>4</
<正> 采用 Na-2S_x 和 K_2S_x 为助熔剂合成了红色发光的 Eu 掺杂 CaS 荧光粉。在光子和电子激发下,这种荧光粉具有中心位于645nm 左右的宽带发射。获得了约为标准荧光粉(Y_2
阿郎的故事；烈火战车；极速赛车手；玩命快递2；头文字D；天若有情2；极速飞车；碟中谍2
在器件的制备方面,半导体多聚物很快地取代了了无机半导体。多聚物易于合成且可以获得薄膜形状。J.Kanicki 等人已经用块状和薄膜多聚物制成了金属/导电多聚物异质结。金属/
采用超冷技术的液相外延方法在 n-型GaAs 衬底上生长了高质量掺 Te 的 Al<sub>0.7</sub>Ga<sub>0.3</sub>As/掺 Mg 的 ln<sub>0.5</sub>Ga<sub>0.5</sub>P 单异质结发光二极
一、前言平板显示器件越来越引人注目,电致发光(EL)器件就是其一。由于这种器件显示的分辩率高,色彩鲜明而且可靠性也高,很受人们欢迎,现在已接近实用水平.