,A deterministic method study of the impact of the Pauli principle in double-gate MOSFETs

来源 :中国物理B(英文版) | 被引量 : 0次 | 上传用户:king1981001
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In this paper,we investigate the temperature and drain bias dependency of single event transient (SET) in 25-nm fin field-effect-transistor (FinFET) technology
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