制造第二代薄膜固体激光器的研制途径

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制造第二代薄膜固体激光器的研制途径日本东北大学金属材料研究所与创立基础研究小组共同研究,采用分子束外延法成功地生长优质掺Er’”的CaF。和ErF。单晶薄膜(照片1),在世界上首次观察到由振荡波长808urn的GaAs半导体激光泵浦产生波长538ur... Development of second-generation thin-film solid-state lasers approach Northeastern University, Institute of Metal Materials and Founding Research Group to jointly study the use of molecular beam epitaxy successful growth of high-quality Er ’doped CaF. And ErF. Single crystal film (Photo 1 ), In the world for the first time observed by the oscillation wavelength of 808urn GaAs semiconductor laser pump produces a wavelength of 538ur ...
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