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提出了一种采用0．18μmCMOS工艺制作的浮动初始电压（FIV）型高精度振荡器电路。浮动初始电压（FIV）技术用以消除比较器延迟对振荡器频率的影响，同时利用器件的匹配特性使得振荡频率仅和RC相关。此外通过适当的温度系数补偿，此振荡器可以在-40～125℃达到＋0．5％的精度，并且仅占0．035mm2的芯片面积。