【摘 要】
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基于InGaAs/InP材料的雪崩二极管探测器工作响应波段范围0.9～1.67μm,在盖革模式下探测效率较高,具有单光子量级的灵敏度,通过配置不同的偏置电路,可工作在门控和自由运行模式
【机 构】
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云南大学物理与天文学院,云南昆明650091;云南大学云南省量子信息重点实验室,云南昆明650091
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基于InGaAs/InP材料的雪崩二极管探测器工作响应波段范围0.9～1.67μm,在盖革模式下探测效率较高,具有单光子量级的灵敏度,通过配置不同的偏置电路,可工作在门控和自由运行模式.目前主要采用门控模式的工作方式,门控模式可应用于光子到来时间已知的量子密钥分发.在激光测距、激光雷达成像等应用中当光子到达时间是未知的条件下,器件需工作在自由运行模式下.通过内部集成或片上集成自淬灭器件,探测器本身具有自淬灭或自恢复功能,无需外部淬灭电路,可工作在自由运行模式,大大拓展了 InGaAs/InP单光子探测器的应用领域,同时对制备单光子探测器阵列具有优势.另外,采用InGaAs/GaAsSbⅡ类超晶格材料作为雪崩二极管的吸收层,可将探测器的截止波长进一步扩展为2.4 μm.首先对盖革模式APD进行了介绍,在此基础上对当前发展的自由运行模式以及扩展波长的InP基单光子探测器原理和性能进行了详细的阐述.
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